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用吉時(shí)利源表2636B實(shí)現(xiàn)高精度電阻測(cè)量的方法

發(fā)布日期:2025-05-12 17:11:53         瀏覽數(shù):   

吉時(shí)利源表2636B作為一款高性能的源測(cè)量單元(SMU),憑借其低噪聲、高精度和多功能特性,在電子測(cè)試領(lǐng)域廣泛應(yīng)用于精密電阻測(cè)量。本文將從測(cè)量原理、操作步驟、注意事項(xiàng)及優(yōu)化技巧等方面,系統(tǒng)介紹如何利用該儀器實(shí)現(xiàn)高精度電阻測(cè)量。

用吉時(shí)利源表2636B實(shí)現(xiàn)高精度電阻測(cè)量的方法(圖1)


一、測(cè)量原理與連接方法

1. 兩線法

適用于低精度電阻(如5%公差)的快速測(cè)量。

將源表正負(fù)極直接連接至待測(cè)電阻兩端,通過內(nèi)置電流源施加激勵(lì),測(cè)量響應(yīng)電壓并計(jì)算電阻值(R=V/I)。

優(yōu)點(diǎn):操作簡(jiǎn)單,適用于高阻值電阻(>1kΩ)。

缺點(diǎn):引線電阻和接觸電阻會(huì)引入誤差,不適合高精度測(cè)量。

2. 四線開爾文法

消除引線電阻影響的核心技術(shù),適用于高精度測(cè)量(<0.01%誤差)。

使用四根獨(dú)立導(dǎo)線連接:兩根電流線(激勵(lì))和兩根電壓線(測(cè)量)。

源表通過電流線施加恒定電流,電壓線直接采集電阻兩端的電勢(shì)差,避免引線壓降干擾。

適用場(chǎng)景:薄膜電阻、精密金屬箔電阻等低阻值(<1Ω)或高精度電阻的測(cè)量。

3. 四探針法

專用于測(cè)量材料電阻率(如半導(dǎo)體、薄膜材料),間接計(jì)算電阻值。

將四根探針按直線排列壓接觸樣品表面,外側(cè)探針通電流,內(nèi)側(cè)探針測(cè)電壓。

通過幾何修正公式(如范德堡法)消除樣品尺寸和探針間距的影響,適用于薄層材料測(cè)試。

二、操作步驟與參數(shù)設(shè)置

1. 準(zhǔn)備工作

確認(rèn)源表電源充足,開機(jī)預(yù)熱至少15分鐘以確保穩(wěn)定性。

根據(jù)待測(cè)電阻范圍選擇量程:低阻值(<1Ω)選用小電流(如1mA),高阻值(>10kΩ)選用高電壓(如10V)。

使用屏蔽電纜和鍍金探針減少寄生電容和接觸電阻。

2. 測(cè)量配置

選擇“四線開爾文”模式(若儀器支持),或手動(dòng)配置兩線/四線連接。

設(shè)置測(cè)量分辨率:優(yōu)先選擇7位半精度(如0.003%讀數(shù)精度)。

開啟“自動(dòng)量程”功能,避免手動(dòng)設(shè)置導(dǎo)致的過載風(fēng)險(xiǎn)。

3. 數(shù)據(jù)采集與處理

施加穩(wěn)定電流后,等待示值穩(wěn)定(通常幾秒至分鐘級(jí))。

多次測(cè)量取平均值,或使用源表的“數(shù)據(jù)記錄”功能進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)。

若存在溫度漂移,需記錄環(huán)境溫度并修正電阻值(如使用TCR系數(shù)補(bǔ)償)。

三、關(guān)鍵注意事項(xiàng)

1. 環(huán)境控制

避免溫度劇烈變化(<±0.5℃/小時(shí)),必要時(shí)使用恒溫箱或隔熱措施。

高濕度環(huán)境可能導(dǎo)致絕緣下降,建議使用干燥氮?dú)獯祾邷y(cè)試區(qū)域。

2. 接觸優(yōu)化

定期清潔探針和待測(cè)電阻引腳,防止氧化層引入額外電阻。

對(duì)低阻值電阻,可采用彈簧探針或焊接方式消除接觸不穩(wěn)定。

3. 誤差校準(zhǔn)

使用已知標(biāo)準(zhǔn)電阻(如0.01%精度)進(jìn)行系統(tǒng)校準(zhǔn)。

定期檢查源表的零漂和增益誤差,必要時(shí)聯(lián)系廠家校準(zhǔn)。

四、應(yīng)用案例與優(yōu)化技巧

1. 半導(dǎo)體器件測(cè)試

結(jié)合“脈沖測(cè)量”模式(如10μs脈沖寬度),降低自熱效應(yīng)對(duì)低阻測(cè)量的影響。

使用“源-阱”四象限模式,測(cè)試雙向電阻特性(如MOSFET溝道電阻)。

2. 材料電阻率測(cè)量

采用四探針法時(shí),確保探針間距一致(如1mm標(biāo)準(zhǔn)間距)。

通過厚度測(cè)量結(jié)合電阻值,計(jì)算材料方塊電阻(R□=R×厚度/探針系數(shù))。

用吉時(shí)利源表2636B實(shí)現(xiàn)高精度電阻測(cè)量的方法(圖2)

吉時(shí)利源表2636B通過靈活的連接模式和精密參數(shù)控制,可實(shí)現(xiàn)從mΩ級(jí)到GΩ級(jí)的寬范圍電阻測(cè)量。通過選擇合適的測(cè)量方法、優(yōu)化環(huán)境條件和嚴(yán)格執(zhí)行校準(zhǔn)流程,用戶可顯著降低系統(tǒng)誤差,滿足半導(dǎo)體研發(fā)、精密電子制造等場(chǎng)景的高精度需求。掌握上述技巧,將有效提升電阻測(cè)量的可靠性和重復(fù)性,為科研與生產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)數(shù)據(jù)支撐。

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